技術文章
新聞資訊
PM是“parTIculatematter（顆粒物）”的縮寫，懸浮在空氣中，直徑小于等于2.5微米的稱為PM2.5，又稱細顆粒物。與較粗大的顆粒物相比，細顆粒物富含更大量的有毒有害物質，而且能在大氣中停留更長時間，輸送距離也更遠，對大氣環境及人體健康的影響也更大，是導致黑肺和霧霾天的主要兇手。在顆粒物PM2.5監測設備中，選用的傳感器主要有兩種：紅外原理pm2.5傳感器與激光原理pm2.5傳感器。紅外原理pm2.5傳感器由于精度不夠主要用于工礦揚塵，檢測對象為大粒徑、高濃度粉塵，檢測級別是mg/m3，無法準確測量PM2.5的濃度，只能檢測灰塵污染程度，當然早期的空氣凈化器也是使用這種原理傳感器，測量結果僅供參考，準確度偏低，一般用于判斷灰塵污染程度等級。后來激光型pm2.5傳感器的誕生，可以精確測量PM2.5濃度，主要應用在PM2.5檢測領域，可嵌入到家用（車載、手持）空氣檢測儀、空氣凈化器中，新型激光型pm2.5傳感器是基于定量測量，可檢測0.3μm的顆粒物，能夠精確測量PM1.0、PM2.5、PM10的數值，精度高。那么兩者之間有什么區別呢？1、結構原理紅外原理pm2.5傳感器的結構和電路相對簡單。其光源為紅外LED光源，氣流進出風口主要靠電阻發熱以獲得熱氣流流動，當有顆粒物通過時，接觸到LED光源之后發生反射現象，光敏探測器接收到不同強度的反射光，再通過放大處理及運算后得到檢測結果。而激光原理pm2.5傳感器的結構和電路相對復雜。其光源為激光二極管。采樣空氣通過風扇或鼓風機推動，通過復雜設計的風道，進行檢測。當空氣中的細顆粒物進入激光束所在區域時，將使激光發生散射；散射光
相信大家對PM2.5、PM10甚至PM1這些可吸入顆粒物的名詞并不陌生。特別是隨著我國社會經濟的迅速發展，大氣污染隨著工業化進程的進行而加重，霧霾早已成為了全民防控的空氣質量參數之一。我國陸續發布顆粒物AO3419監測儀器和監測方法相關標準。國務院發布新修訂的《環境空氣質量標準》，首次增加了PM2.5監測指標。PM2.5易于載帶大量的有毒、有害物質，可進入人體肺泡并沉積，其載帶的多環芳烴等有機污染物和重金屬，隨著人體循環系統轉移到身體的其他部位,對人體健康和空氣質量等有重要影響。因此加強人群保護和在減少大氣顆粒物污染的基礎上，做好空氣污染預測及監測，使個人做好防護，從而減輕全身各系統疾病的發生將成為未來工作的重點。環境空氣質量監控逐漸衍生到室內空氣質量全城監測的大趨勢中，各種可吸入顆粒物及氣體傳感器成為了感知技術的核心。傳感器質量的優劣直接影響到最終獲得的空氣質量監測數值，對治理和管控起到至關重要的作用。近些年，我國粉塵PM2.5顆粒傳感器及粉塵監測技術也得到了迅速發展。pm2.5傳感器供應商工采網提供的5款產品：DSM501A、LDSM、GPSM、SPSM、PSMG。因其優良性能，廣受空氣凈化器、新風系統、便攜式儀表、空氣質量監測設備、空調、智能家居設備等領域客戶的認可。下面工采網小編具體為大家介紹pm2.5傳感器的相關應用以：韓國Samyoung PM2.5 PM1.0傳感器 - GPSM系列為例：工作原理微粒和分子在光的照射下會造成光的散射并吸收部分照射光的能量。使得光強將被衰減。通過檢測光通過被測區域后的衰減率程度，或者光通過被測區域時的散射量，可獲得被測區域灰塵的濃度
2018第十屆深圳國際物聯網博覽會（IOTE）即將于2018年7月31日至8月2日在深圳會展中心盛大舉行。環境和流量傳感器解決方案專家盛思銳（Sensirion）連續第五年出席深圳國際物聯網博覽會。此次，盛思銳將推出一款具有長期穩定性的創新型PM2.5氣體傳感器。為治理大氣污染、尤其是降低空氣質量的首要污染物PM2.5濃度，我國近年來在多個地區積極調整產業機構、清潔化能源結構、控制末端與交通污染等。世界領先的傳感器制造商盛思銳一直堅守在氣體傳感器的創新陣營，多年來取得了蜚聲業界的成果，其產品以高標準的精準度和穩定性著稱，備受業界的認可與好評。盛思銳的傳感器元件和解決方案廣泛應用于汽車行業、醫療技術、建筑技術、工業過程控制以及消費產品等。.本屆博覽會上，盛思銳將重點推出創新型pm2.5傳感器。大中華區總經理李錦華先生介紹，此次帶來的創新型pm2.5傳感器專門針對氣體檢測的難題研發，旨在幫助所有空氣質量監管、治理的從業者。該產品能以超精準度感知氣體質量濃度、精確測量多種空氣顆粒物、有完整的主板信號處理能力、所有信號自動校準輸出，而且具備盛思銳產品一貫的長期穩定性、高度可信賴，勢必顛覆業界標準。屆時，盛思銳全球市場銷售總監Stephan M. Richter先生，pm2.5傳感器產品經理Livio Lattanzio先生，以及大中華區總經理李錦華先生將親臨現場，向業界人士介紹盛思銳的創新產品和技術優勢，并分享盛思銳對氣體傳感器行業發展和技術創新的洞見。歡迎參觀盛思銳在2018第十屆深圳國際物聯網博覽會的展臺（6號館，6B63號展位），了解該長期穩定的PM2.5氣體傳感器，獲悉其巨大的
1月11日，記者在浙江大學常州工業技術研究院舉辦的新聞發布會上獲悉，該研究院的孵化企業——常州納美生物科技有限公司，依托浙大常州工研院納米醫藥研究中心暨常州市高新區諾貝爾獎工作站，成功研制出超強石墨烯PM2.5抗菌防霧霾口罩，經國家權威檢測部門檢測PM2.5過濾效率達96.4％，對大腸桿菌的抑菌率達99.8％。2013年，公司科研團隊成員領導的國際聯合研究小組首次揭示了石墨烯的抗菌分子機理，引領了抗菌功能納米材料研發領域的研究，獲得了許多國內外同行的贊譽。該研究院科研管理部主任薛馳介紹，公司研發的新型多功能防護口罩采用最新型功能化石墨烯無紡布濾芯，具備超強的物理隔塵、PM2.5和PM10隔絕功能、抗菌性能，還可以過濾花粉和其他粉塵。其抗霾機理是利用石墨烯對PM2.5及以下的微小顆粒的吸附作用。尤其利用多層的石墨烯，可以牢牢地將微小顆粒“困住”。同時，石墨烯本身具有優良的抗菌性，其抗菌機理是石墨烯與細菌的細胞膜有強力作用，能切割細菌的細胞膜，并大量抽取細胞膜上的磷脂分子。
工業污染是北京PM2.5的主要來源之一。北京今年將實施百余項大氣污染防治環保技改項目，涉及揮發性有機物治理、脫硫、脫硝、除塵等多個方面。據介紹，雖然工業占北京市經濟總量的比重已不足20%，但根據PM2.5來源解析結果，在本地污染貢獻率中，工業生產占18.1%，僅次于機動車排放和燃煤污染，居第三位。根據空氣污染源解析結果和空氣質量改善的需求，北京工業減排的重點包括揮發性有機物、氮氧化物、二氧化硫、煙粉塵等大氣污染物。目前北京開展環保技改的重點領域包括四個方面：一是推進工業園區和工業企業燃煤設施清潔能源改造；二是在汽車制造、汽車修理、家具制造等重點行業開展揮發性有機物治理工程；三是燕化公司、金隅集團等重點企業實施綜合性污染防治工程；四是開展工業燃氣設施的低氮燃燒技術改造和煙氣脫硝工程。截至目前，今年計劃實施的曲美家具水性漆替代工程、福田戴姆勒汽車公司二工廠水性漆替代工程、燕化公司順丁橡膠尾氣處理一期工程等重點技改項目已完成。北京市環保部門將會同相關部門，研究制訂引導政策，建立激勵機制。對實施環保技改措施、污染物排放達標并進一步減排的企業給予資金獎勵，把企業超標排放行為記入中國人民銀行企業信用信息基礎數據庫等企業信用系統，作為辦理信貸業務、增值稅減免優惠、上市融資核查的審核條件，限制污染企業發展。北京已于今年1月1日起提高二氧化硫、氮氧化物、化學需氧量、氨氮四項污染物排污費征收標準，下一步還將征收工業揮發性有機物等排污費，并研究高污染行業差別化資源價格政策，增加企業排污成本，促進企業治污減排。
持續的霧霾天氣，各大醫院被擠滿的呼吸科，讓人們真正體會到了大氣污染的危害性。資料顯示：霧霾主要是由二氧化硫、氮氧化物和可吸入顆粒物這三項構成，前兩者為氣態污染物，最后一項顆粒物更是加重霧霾天氣污染的罪魁禍首，而顆粒物的英文縮寫為PM，其中以PM2.5對人體危害最大。 對此狀況，政府自然不能袖手旁觀。去年，中國將PM2.5寫入了“國標”，全國各地如“雨后春筍般”設立多個監測點，并實時發布數據，讓人可以直觀的了解到身邊的空氣情況。戶外PM2.5監測數據也和天氣預報一樣，開始出現在廣播和電視之中。也正因為如此，眼下人們除了時時刻刻盯著的股市數據外，還要同時關注著PM2.5數值。 各地既然要實時通報PM2.5值，就必須建設多個PM2.5監測點，同時也需要相應的監測設備，而監測設備的質量好壞將決定得出數據的準確度。而監測設備的質量好壞將決定最終數據的準確度。 據了解，當人們的肉眼可以感覺到天氣灰霾的時候，PM2.5的值已經接近75，此時如果監測儀出現偏差，數據縮水，則會導致空氣質量評價偏高，影響相關霧霾治理對策，甚至影響到廣大民眾的生活心態。 因此，使用符合國際標準的高質量空氣質量檢測儀器，成為監測PM2.5數據精準度工作的重中之重！ 目前，我國PM2.5監測通常使用連續監測法(如微量振蕩天平法和β射線衰減法)來監測近似現場的沉積質量。此類監測法對空氣溫度、濕度、氣流速率等數據的精確度要求十分苛刻，一點點偏差就可使監測結果大相徑庭。對此，國內外相關企業加緊對PM2.5監測設備傳感器研究和開發，許多靈敏度高、精確性強的高新產品陸續投放市場。霍尼韋爾傳感與控制部就于近日研發出了一批針對PM2
SensorDynamics今日宣布推出用于汽車的微機械雙功能傳感器，該傳感器在單個產品封裝內集成了陀螺儀和加速儀。兩個傳感器都通過一個共用的SPI接口傳輸它們的信號，這有助于進一步進行處理和使開發時間與系統成本最小化。作為汽車和制造行業慣性雙功能傳感器的先鋒和趨勢制造者，SensorDynamics已經認識到市場對可通過AEC-Q100認證、包含監控電路使之在芯片和模塊級別上絕對安全可靠的集成傳感器的迫切需要。此外，使設備數量最小化也帶來系統成本的減少。對于那些將實際道路彎曲程度和角度鎖相匹配的車輛，SD755非常適合它們中電子穩定系統的應用。當檢測到差異時，各個車輪將系統地減速以避免車輛打滑。SD755適用于所有安全相關的汽車或工業應用，以確保高級別的故障安全性。此外，它的特點還包括：機械穩固性、廣泛的溫度公差范圍和長期的高穩定性。SD755針對的是高安全標準，尤其是在汽車領域中。為此所涉及的所有設計方法都符合IEC 61508標準，是對包括陀螺儀、加速儀和電路在內的整個系統進行徹底FMEA（失效模式與影響分析）的結果。該傳感器集成了一個同時監控傳感元件和信號調節路徑的特別電路，如果一個參數超出精確定義的限值，則立即發出警報。該傳感器監控40多個參數以確保其完全的安全可靠。雙功能傳感器的任何部分發生故障都會被傳達到外加一條硬接線線路的SPI接口上的高級微控制器。通過SPI，可以完成詳細的故障分析以便確認錯誤源。傳感器也能夠通過SPI監控微控制器。基于這個設計的優勢，SD755在組件級別上達到了SIL 2，在系統級別上達到了SIL 3。SD755現已有售。數量為1000單位/
SensorDynamics今日宣布推出用于汽車的微機械雙功能傳感器，該傳感器在單個產品封裝內集成了陀螺儀和加速儀。兩個傳感器都通過一個共用的SPI接口傳輸它們的信號，這有助于進一步進行處理和使開發時間與系統成本最小化。作為汽車和制造行業慣性雙功能傳感器的先鋒和趨勢制造者，SensorDynamics已經認識到市場對可通過AEC-Q100認證、包含監控電路使之在芯片和模塊級別上絕對安全可靠的集成傳感器的迫切需要。此外，使設備數量最小化也帶來系統成本的減少。對于那些將實際道路彎曲程度和角度鎖相匹配的車輛，SD755非常適合它們中電子穩定系統的應用。當檢測到差異時，各個車輪將系統地減速以避免車輛打滑。SD755適用于所有安全相關的汽車或工業應用，以確保高級別的故障安全性。此外，它的特點還包括：機械穩固性、廣泛的溫度公差范圍和長期的高穩定性。 SD755針對的是高安全標準，尤其是在汽車領域中。為此所涉及的所有設計方法都符合IEC 61508標準，是對包括陀螺儀、加速儀和電路在內的整個系統進行徹底FMEA（失效模式與影響分析）的結果。該傳感器集成了一個同時監控傳感元件和信號調節路徑的特別電路，如果一個參數超出精確定義的限值，則立即發出警報。該傳感器監控40多個參數以確保其完全的安全可靠。 雙功能傳感器的任何部分發生故障都會被傳達到外加一條硬接線線路的SPI接口上的高級微控制器。通過SPI，可以完成詳細的故障分析以便確認錯誤源。傳感器也能夠通過SPI監控微控制器。基于這個設計的優勢，SD755在組件級別上達到了SIL 2，在系統級別上達到了SIL 3。 SD755現已有售。數量為100
據悉，第四屆便攜式產品設計與電源|穩壓器管理技術研討會PDPM將在2008年7月17日～18日在深圳舉辦。本次大會由中國通信學會通信設備制造技術委員會與深圳創意時代主辦，之前已經成功舉辦過三屆。 電子產品便攜化發展已經是不可阻擋的趨勢，在市場的高要求下，便攜式電子產品設計師也面臨著前所未有的挑戰，無論是產品顯示技術、材料、電源管理等等都要求設計師要不斷地推陳出新以順應市場的要求。 第四屆便攜式產品設計與電源管理技術研討會將邀請國內外便攜產品設計方面的企業發布最前沿的技術動態，會議主題緊緊圍繞一線設計師的需求展開。據了解，本次研討會探討范圍將涉及便攜音頻技術；LCD驅動IC、小尺寸顯示面板等便攜視頻與顯示技術；NAND/NOR閃存等便攜視頻與顯示技術；便攜電源管理技術；便攜產品材料創新；分立元器件與無源器件；以及其他便攜產品設計新技術與方案。 本次大會還將更多的關注目前炙手可熱的一些便攜消費電子的應用，例如3G手機、DSC數碼相機、掌上游戲機等。
第四屆便攜式產品設計與電源|穩壓器管理技術研討會PDPM將在2008年7月17日～18日在深圳隆重舉辦。本次大會由中國通信學會通信設備制造技術委員會與深圳創意時代主辦，已經成功舉辦過三屆，受到業界的一致好評。 電子產品便攜化發展已經是不可阻擋的趨勢，在市場的高要求下，便攜式電子產品設計師也面臨著前所未有的挑戰，無論是產品顯示技術、材料、電源管理等等都要求設計師要不斷地推陳出新以順應市場的要求。 第四屆便攜式產品設計與電源管理技術研討會將邀請國內外便攜產品設計方面的領軍企業發布最前沿的技術動態，會議主題緊緊圍繞一線設計師的需求展開。據了解，本次研討會探討范圍將涉及便攜音頻技術；LCD驅動IC、小尺寸顯示面板等便攜視頻與顯示技術；NAND/NOR閃存等便攜視頻與顯示技術；便攜電源管理技術；便攜產品材料創新；分立元器件與無源器件；以及其他便攜產品設計新技術與方案。 本次大會還將更多的關注目前炙手可熱的一些便攜消費電子的應用，例如3G手機、DSC數碼相機、掌上游戲機等。 作為中國最有影響力的便攜技術盛會，前三屆PDPM都取得了令人矚目的成績，參與研討會的人士覆蓋到整個便攜產品設計的產業鏈。在07年的研討會上TI、飛思卡爾、SIGMATEL、Action、日立環球、3M等行業巨頭都發表了精彩演講，吸引了300多名高質量聽眾前來參會，其中超過一半是業界的工程師。
根據IC Insights發布的最新市場調查報告，該公司預測未來數年全球傳感器/制動器產值的增長將是IC的近兩倍，而且這個領域將成為這幾年中增長最迅速的半導體領域。全球solid-state傳感器/制動器的市場如果與其它半導體產品類別相比，規模相對較小；過去傳感器主要使用在汽車工業中，但近年新開發出的低價器件目標針對便攜式消費性電子、通信與工業產品。IC Insights預測傳感器/制動器在2010年度的銷售中將有37%是為汽車行業采用，這個比重低于之前數年的50%。 傳感器器/制動器在2005年度的市場規模為45億美元，IC Insights預測2006年度可望增長26%至57億美元，從2006至2010年度之間的復合平均年增長率可望達到21%，相比之下，IC在這五年內的復合平均年增長率僅為11%。到了2010年，傳感器/制動器的產值估計接近120億美元，相對于整體半導體的3200億美元。IC Insights并且估計大約80%的傳感器/制動器采用微機電系統(MEMS)技術來執行轉換(transducer)的功能。Solid-state傳感器主要是用于測量溫度、壓力、加減速與其它物理參數的改變；而制動器則是用于執行動作，例如在紙張上印出墨水、在顯示屏中反映出光線，或是在人體中施予藥物。 IC Insights指出2005年度傳感器/制動器市場的領導者是Texas Instruments，其次為HP。TI主要銷售micro-mirror顯示組件，HP則是MEMS噴墨式印表頭的領導廠商。排名第三的是德國的Robert Bosch，該公司是全球最大的solid
運用全球僅有的pFLASHTM閃存商業應用技術，供應制造新一代串行外圍接口閃存 專業電子零組件代理商益登科技所代理的常憶科技(PMC)近日推出100 Mhz的1Mb、2Mb、4Mb串行外圍接口(SPI)內存，8Mb及16Mb也將在2006年推出，以供應計算器、PC的BIOS 、LCD monitor、醫療監控器、硬盤、光儲存(ODD)、無線局域網絡系統、打印機、復雜可程序邏輯組件(CPLD)/現場可程序門陣列 (FPGA)下載、電玩等制造廠商，提供球最高性能的串行外圍接口(SPI)之串行閃存。 新一代的PM25LV010/020/040記憶數組提供制造廠商獨特的記憶區塊配置能力，將4Kb分為4個1Kb的記憶區塊，易于透過程序軟件或配置注冊碼(Configuration register)來配置，這樣使用者能夠防止意外清除或寫入代碼。在某些系統基板設計中，它能夠降低串行電子清除可程序只讀存儲器(EEPROMs)的整體成本。 PM25LV系列產品乃依據PMC公司P-Channel閃存(pFLASH)的專利技術，提供超耐用、低消耗功率獨特優越質量。pFLASH專利技術研發低消耗功率特性，使PMC公司的閃存特別適用于對電源敏感的手提式設備，例如個人計算機、個人數字助理、新一代無線局域網絡卡、與硬盤機。 PM25LV512、PM25LV010、PM25LV020、PM25LV040、PM25LV080與PM25LV016都是可以簡易互換的零件(drop-in replacement)，不需要改變Layout便可互換。該系列產品均以3個引腳串行外圍接口(SPI)及
會員資訊
1、概述 DPM20C60DG是一款三相 IGBT 逆變器模塊，內置 IGBT 及其柵驅動芯片，可用于無 刷直流電機、永磁無刷電機等的驅動。柵驅動芯片針對 IGBT 進行了優化設計，減小了 開關損耗、電磁干擾，同時柵驅動芯片上集成了多種保護功能，包括欠壓閉鎖、過流保 護、故障報告，內置熱敏單元提供了溫度監控功能。高側 IGBT的驅動電路采用了自舉 電源設計，只需單電源供電。每個低側 IGBT 的發射極單獨引出，三相電流可分別采樣， 支持多種控制算法。電路采用帶有散熱片的 DIP-24H 封裝。 2、功能描述 DPM20C60DG電路集成了 HVIC、LVIC、功率器件 IGBT、續流二極管 FRD、自舉二極管 BSD，極大地提高了集成度，同時設計了多種保護功能，進一步提高了電路的可靠 性。低側三個IGBT的發射極分別引出，可以對三相電流分別采樣，適用不同的驅動方案。高側IGBT的驅動電路采用自舉法產生浮動電源，自舉二極管已集成在電路中，只 需極少的外部元器件。三相浮動電源都具有欠壓保護功能，防止 IGBT 工作在高功耗狀 態。DPM20C60DG具有多種保護功能，包括欠壓保護、過溫保護、過流保護。DPM20C60DG還集成了溫度感測模塊，輸出一個與溫度線性相關的模擬電壓，方便MCU監控IPM模塊的溫度。3.主要特點 ● 600V/20A 三相IGBT逆變器模塊，內置 IGBT、FWD.BSD、HVIC、LVIC● 高側驅動電路采用自舉法產生浮動電源，內置帶限流電阻的自舉二極管● 柵驅動芯片具有多種保護功能，包括欠壓保護、過流保護、過溫保護
1、概述 DPM20C60DG是一款三相 IGBT 逆變器模塊，內置 IGBT 及其柵驅動芯片，可用于無 刷直流電機、永磁無刷電機等的驅動。柵驅動芯片針對 IGBT 進行了優化設計，減小了 開關損耗、電磁干擾，同時柵驅動芯片上集成了多種保護功能，包括欠壓閉鎖、過流保 護、故障報告，內置熱敏單元提供了溫度監控功能。高側 IGBT的驅動電路采用了自舉 電源設計，只需單電源供電。每個低側 IGBT 的發射極單獨引出，三相電流可分別采樣， 支持多種控制算法。電路采用帶有散熱片的 DIP-24H 封裝。 2、功能描述 DPM20C60DG電路集成了 HVIC、LVIC、功率器件 IGBT、續流二極管 FRD、自舉二極管 BSD，極大地提高了集成度，同時設計了多種保護功能，進一步提高了電路的可靠 性。低側三個IGBT的發射極分別引出，可以對三相電流分別采樣，適用不同的驅動方案。高側IGBT的驅動電路采用自舉法產生浮動電源，自舉二極管已集成在電路中，只 需極少的外部元器件。三相浮動電源都具有欠壓保護功能，防止 IGBT 工作在高功耗狀 態。DPM20C60DG具有多種保護功能，包括欠壓保護、過溫保護、過流保護。DPM20C60DG還集成了溫度感測模塊，輸出一個與溫度線性相關的模擬電壓，方便MCU監控IPM模塊的溫度。3.主要特點 ● 600V/20A 三相IGBT逆變器模塊，內置 IGBT、FWD.BSD、HVIC、LVIC● 高側驅動電路采用自舉法產生浮動電源，內置帶限流電阻的自舉二極管● 柵驅動芯片具有多種保護功能，包括欠壓保護、過
一，主要概述 DPM20C60是一款三相IGBT 逆變器模塊，內置IGBT及其柵驅動芯片，可用于無刷直流電機、永磁無刷電機等的驅動。柵驅動芯片針對 IGBT 進行了優化設計，減小了開關損耗、電磁干擾，同時柵驅動芯片上集成了多種保護功能，包括欠壓閉鎖、過流保護、故障報告，內置熱敏單元提供了溫度監控功能。高側 IGBT 的驅動電路采用了自舉電源設計，只需單電源供電。每個低側 IGBT 的發射極單獨引出，三相電流可分別采樣，支持多種控制算法。 電路采用帶有散熱片的 DIP-24H 封裝。二，主要特點* 600V/20A 三相IGBT逆變器模塊，內置 IGBT、FWD、BSD、HVIC、LVIC* 高側驅動電路采用自舉法產生浮動電源，內置帶限流電阻的自舉二極管* 柵驅動芯片具有多種保護功能，包括欠壓保護、過流保護、過溫保護* 完全兼容 3.3V、5V 和 15V 的 MCU 的接口* 三相負端單獨引出用于電流檢測* 故障狀態報告輸出* 線性溫度感測輸出* 封裝形式：HDIP24，帶有散熱片三，功能描述 DPM20C60電路集成了HVIC、LVIC、功率器件IGBT、續流二極管FRD、自舉二極管BSD，極大地提高了集成度，同時設計了多種保護功能，進一步提高了電路的可靠性。低側三個IGBT的發射極分別引出，可以對三相電流分別采樣，適用不同的驅動方案。高側IGBT 的驅動電路采用自舉法產生浮動電源，自舉二極管已
EPM240T100C5NEPM240T100C5NEPM240T100C5N規格產品屬性屬性值選擇屬性制造商:Intel產品種類:CPLD - 復雜可編程邏輯器件RoHS: 詳細信息系列:EPM240安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:TQFP-100工作電源電壓:2.5 V, 3.3 V大電池數量:192 Macrocell輸入/輸出端數量:80 I/O電源電壓-最大:3.6 V電源電壓-最小:2.375 V最小工作溫度:0 C最大工作溫度:+ 70 C最大工作頻率:304 MHz傳播延遲—最大值:4.7 ns封裝:Tray商標:Intel / Altera存儲類型:Flash濕度敏感性:Yes邏輯數組塊數量——LAB:24邏輯元件數量:240工作電源電流:55 mA產品類型:CPLD - Complex Programmable Logic Devices工廠包裝數量:90子類別:Programmable Logic ICs總內存:8192 bit商標名:MAX II零件號別名:971385單位重量:1.100 g
bychip可替代APM2701ACC-TRG導讀2、金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）（本文的主角）。場效應管主要有兩種類型： 1、結型場效應管（junction FET—JFET)（不是本文討論范圍）。基礎知識中 MOS 部分遲遲未整理，實際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管， 今天勢必要來一篇文章，徹底掌握mos管！。bychip可替代3、開關速度快，開關損耗低，特別適應PWM輸出模式。 6、MOS管柵極很容易被靜電擊穿，柵極輸入阻抗大，感應電荷很難釋放，高壓很容易擊穿絕緣層，造成損壞。 4、在電路設計上的靈活性大，柵偏壓可正可負可零，三極管只能在正向偏置下工作，電子管只能在負偏壓下工作； 4、低功耗、性能穩定、抗輻射能力強，制造成本低廉與使用面積較小、高整合度。所以現在芯片內部集成的幾乎都是MOS管。 2、導通電阻低，可以做到幾個毫歐的電阻，極低的傳導損耗，。MOS管特點 1、輸入阻抗非常高，因為MOS管柵極有絕緣膜氧化物，甚至可達上億歐姆，所以他的輸入幾乎不取電流，可以用作電子開關。 5、極強的大電流處理能力，可以方便地用作恒流源。。對于N溝道增強型的MOS管，當Vgs >Vgs(th)時，MOS就會開始導通，如果在 D 極和 S 極之間加上一定的電壓,就會有電流Id產生。VGS(最大柵源電壓) 柵極能夠承受的最大電壓，柵極是MOS管最薄弱的地方，設計的時候得注意一下，加載柵極的電壓不能超過這個最大電壓。P型襯底在 MOS管內部是和 源級
bychip可替代APM2701AC導讀MOS管分類按溝道分類，場效應管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管。按材料分類，可以分為分為耗盡型和增強型：增強型管：柵極-源極電壓 Vgs 為零時漏極電流也為零； 耗盡型管：柵極-源極電壓 Vgs 為零時漏極電流不為零。它是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。什么是場效應管？場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。bychip可替代電流ID為0，管子不工作。夾斷區在輸出特性最下面靠近橫坐標的部分，表示MOS管不能導電，處在截止狀態。（相對而言，其實MOS管發展到現在，普通的應用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號）。 PMOS的閾值電壓教NMOS高，因此需要更高的驅動電壓，充放電時間長，開關速度更低。所以導致現在的格局：NMOS價格便宜，廠商多，型號多。我們通過原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動，PMOS那就是空穴的移動，空穴的遷移率比電子低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導小于 NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。 PMOS的導通電阻大，發熱大，相對NMOS來說不易通過大電流。PMOS價格貴，廠商少，型號少。我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為三個區：夾斷區(截止區)、恒流區、可變電阻區。在一定的Vds下，D極電流 Id 的大小是與 G極電壓Vgs有關的。VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(t
bychip可替代_APM2305AC導讀在實際應用中，以 增強型NMOS 和 增強型PMOS 為主。 結合下圖與上面的內容也能解釋為什么實際應用以增強型為主，主要還是電壓為0的時候，D極和S極能否導通的問題。所以通常提到NMOS和PMOS指的就是這兩種。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。這樣的器件被認為是對稱的。bychip可替代此參數一般會隨結溫度的上升而有所降低。應用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時的柵極電壓稱為開啟電壓。VGS(th)(開啟電壓) 當外加柵極控制電壓 VGS 超過 VGS(th) 時，漏區和源區的表面反型層形成了連接的溝道。這個簡單點，包括生產難度，實現成本，實現方式等等。為什么介紹MOS管的文章都以NMOS舉例？說白了就是NMOS相對 PMOS 來說：簡單點。對于人類發展而言，肯定是從某個事物簡單的的部分開始深入研究發展，教學也是相同的道理，從某個簡單部分開始更能夠讓人入門了解一個事物，然后再步步深入。我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為三個區：夾斷區(截止區)、恒流區、可變電阻區。在一定的Vds下，D極電流 Id 的大小是與 G極電壓Vgs有關的。。對于N溝道增強型的MOS管，當Vgs >Vgs(th)時，MOS就會開始導通，如果在 D 極和 S 極之間加上一定的電壓,就會有電流Id產生。AO4286金屬柵極被置于氧化物層之上，而這層氧化物又被放置在半導
bychip可替代_APM2054NUC-TRL導讀一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOSFET 金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。什么是MOS管？這種基本的名詞解釋還是得用官方的話語說明一下： MOS，是MOSFET的縮寫。它是利用控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件。由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。什么是場效應管？場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。bychip可替代MOS管全名為：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導體 (Semiconductor)場效應晶體管。摻入的雜質越多，多子（空穴）的濃度就越高。在P型半導體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導電。P型半導體又稱空穴型半導體，是以帶正電的空穴導電為主的半導體。這個簡單點，包括生產難度，實現成本，實現方式等等。為什么介紹MOS管的文章都以NMOS舉例？說白了就是NMOS相對 PMOS 來說：簡單點。對于人類發展而言，肯定是從某個事物簡單的的部分開始深入研究發展，教學也是相同的道理，從某個簡單部分開始更能夠讓人入門了解一個事物，然后再步步深入。我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為三個區：夾斷區(截止區
技術參數頻率1879.7 MHz電源電壓(DC)3.30 VI/O引腳數80工作溫度(Max)85 ℃工作溫度(Min)0 ℃電源電壓(Max)3.6 V電源電壓(Min)2.375 V封裝參數安裝方式Surface Mount引腳數100封裝TQFP-100外形尺寸高度1 mm封裝TQFP-100物理參數工作溫度0℃ ~ 85℃其他產品生命周期Active包裝方式Tray
類型描述類別集成電路（IC）嵌入式CPLD（復雜可編程邏輯器件）制造商Intel系列MAX? II包裝托盤產品狀態在售可編程類型系統內可編程延遲時間 tpd(1) 最大值7 ns供電電壓 - 內部2.5V，3.3V邏輯元件/塊數2210宏單元數1700I/O 數272工作溫度0°C ~ 85°C（TJ）安裝類型表面貼裝型封裝/外殼324-BGA供應商器件封裝324-FBGA（19x19）基本產品編號EPM2210
對上的私聊KSZ8081RNAIA-TR MAX31343ETAY+T MAX22025AWA+TEPM240T100C5NMPQ8633AGLE-Z MPQ8633BGLE-ZXC7Z010-1CLG400I PI7C9X2G1616PRBHSBEPI7C9X2G404SLBFDEX PI7C9X2G404SLBFDE需要的sl：SN65HVD3085EDRSN74AVC1T45DBVRSN74LVC1T45DBVRSN74LVC4245ADWRTCA9534APWRTL431BIDBZRTLC5620CDR
商品屬性 屬性值 搜尋類似項目製造商: Intel 產品類型: CPLD - 複式可程式化邏輯裝置 RoHS: 詳細資料 系列: EPM240 安裝風格: SMD/SMT 封裝/外殼: TQFP-100 工作電源電壓: 2.5 V, 3.3 V 大電池數: 192 輸入/輸出數: 80 I/O 最低工作溫度: 0 C 最高工作溫度: + 70 C 最大工作頻率: 304 MHz 傳輸延遲 - 最大值: 4.7 ns 封裝: Tray 品牌: Intel / Altera 存儲類型: Flash 濕度敏感: Yes 邏輯陣列區塊數目 - LAB: 24 邏輯元件數目: 240 運作供電電流: 55 mA 產品類型: CPLD - C
EPM240T100C3N,全新.當天發貨或門市自取，如需了解更多產品信息聯系我們.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二 ，企鵝:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八. 還有：IC 二三極管 電容電阻等； 提供全系列配套電子元器件。MAX9247ECMMAX942ESAMAX9675ECQ+MAX9700MAX9814MAX98300MAX9850ETIMB10SMB44C017BBGF-G-D4EMB6MMB6SMBI5026GNSMBR0520LT1GMBR0540MBR10200CTMBR20200MBR20200CTMBR20200CTGMBR2045CTMBR3100MBR360RLGMBR60100PTMBRA140T3GMBRB1045CTMBRB1545CTMBRB1545CTT4GMBRB1645CTMBRB20100MBRB2045CTMBRB2060CTMBRB2060CTGMBRB30H100CT-E3MBRF1660MBRS1100MBRS1100T3GMBRS130LT3-DMBRS140T3MBRS140T3GMBRS190MBRS190T3GMC12017DMC14049BDR2GMC14511BDMC145152P2MC14538BCPGMC145503PMC14566MC146805E2PMC1489MC1496MC1496DR2GMC16C550BMC16C550LMC1733LMC24C08-WDW6TPMC24C16-WDW6TPMC26LS32Dmc33033MC3
智慧城市經常與數字城市、感知城市、無線城市、智能城市、生態城市、低碳城市等區域發展概念相交叉，甚至與電子政務、智能交通、智能電網等行業信息化概念發生混雜。開車出門，最讓人“心塞”的除了擁堵，莫過于到了地方找不到停車位。路邊大電子屏幕上顯示的附近數個停車場里有多少個空位、停車場入口顯示屏上告知的空位具體分布、收費情況等實時狀況，在一定程度上幫了忙。但其實，人們并不需要到路口或停車場門口才知道相關情況，在手機里下載一個智慧停車管理APP，還沒有出門就能實時獲悉全城停車場的情況。作為智慧城市建設的一部分，智慧停車管理如今在上海浦東等地已開始實施。“智慧應用和戰略正快速改變市民的生活與工作，為城市巨系統的結構完善和功能升級提供基礎。”中國城市科學研究會數字城市工程研究中心副主任徐振強博士說。截至2015年9月，我國95%的副省級以上城市、76%的地級以上城市，總計約500多個城市提出或在建智慧城市。但根據美國、歐盟等智慧城市權威機構的測評，我國智慧城市建設水平尚未進入先進行列。我國智慧城市市場規模約4萬億元類似智慧停車管理的智慧城市建設案例還有很多。如：北京市朝陽區的移動電子政務，則可以通過手機“掌上朝陽”系統通告屬地各負責人重點環境問題等監督處置情況，提高其工作效率;重慶兩江智慧總部基地，通過智慧應用集群，即公眾服務、產業云服務、智慧交通、智慧能源管理、智慧城管、智慧景觀、智慧環保和智慧城市安全，打造智慧新城。據悉，自2011年我國城鎮化率首次突破50%以來，可持續城鎮化和城市面臨嚴峻的資源環境、交通壓力，城市建設模式迫切需要轉型。《新型城鎮化發展規劃》將智慧城市列為我國城市發展的三