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PIN光電二極管是一種EP1S30F780C6光電轉換器件，可以將光信號轉換為電信號。它具有簡單的結構、高靈敏度和快速響應等優點，在光通信、光電檢測、物體識別等領域有廣泛應用。一、結構：PIN光電二極管由三個區域組成：P型半導體、固有層（I區）和N型半導體。通常情況下，P型和N型半導體是高摻雜的，而固有層則是低摻雜的。三個區域形成了一個PN結，固有層是一個在兩個摻雜層之間的非摻雜層。二、優缺點：優點：1、高靈敏度：PIN光電二極管的固定層能夠增強電子和空穴的輻射捕獲效率，從而提高了光電轉換效率。2、快速響應速度：PIN光電二極管具有較低的電容和電阻，使其能夠快速響應光信號的變化。3、寬頻帶特性：PIN光電二極管的頻率響應范圍廣，可以用于接收高頻信號。4、低噪聲：PIN光電二極管的噪聲水平較低，能夠提供高信噪比的輸出信號。缺點：1、相對較高的工作電壓：PIN光電二極管需要較高的工作電壓才能正常工作。2、溫度敏感：PIN光電二極管的性能容易受到溫度的影響。三、工作原理：PIN光電二極管的工作原理是利用內建電場增強光電轉換效果。當光照射到PIN光電二極管的N型半導體區域時，光子會激發電子從價帶躍遷到導帶，產生電流。由于內建電場的存在，電子會被迅速收集到P型半導體區域，從而形成一個輸出電流。內建電場的強度和方向可以通過外部電源調節，以改變光電轉換效果。四、應用：1、光通信：PIN光電二極管可以用作光纖通信中的接收器，將光信號轉換為電信號。2、光測量：PIN光電二極管可以用于測量光強度的變化，如光譜分析、光強度檢測等。3、光電探測：PIN光電二極管可以用于光電探測器，如紅外線探測器、光電
硅光電二極管（Silicon Photodiode）是一種用于光電轉換的TS5A3159DBVR半導體器件。它可以將光能轉化為電能，具有廣泛的應用領域，包括通信、光電測量、光電探測等。下面將對硅光電二極管的基本結構、特點、工作原理、應用、檢測方法、安裝使用及發展歷程進行詳細介紹。一、基本結構：硅光電二極管的基本結構包括P型硅區域、N型硅區域和PN結。P型硅區域富含正電荷載流子，N型硅區域富含負電荷載流子。PN結是P型和N型材料的接觸面，形成一個電勢壘。當光照射到PN結時，光能被吸收，產生電子-空穴對，進而產生電流。二、特點：1、高靈敏度：硅光電二極管對光信號非常敏感，能夠接收到比人眼還要微弱的光信號。2、寬波長范圍：硅光電二極管能夠接收到可見光和近紅外光，波長范圍通常為200 nm至1100 nm。3、快速響應：硅光電二極管的響應速度非常快，可以達到納秒級別。4、低噪聲：硅光電二極管的噪聲水平較低，適用于精密測量和低光強應用。三、工作原理：硅光電二極管的工作原理基于內光電效應。當光照射到窗口層時，光子的能量會激發PN結中的載流子，從而改變PN結的電流。這個電流變化可以通過外部電路進行測量和分析。四、應用：硅光電二極管廣泛應用于光電測量、光通信和光電轉換等領域。具體應用包括：1、光電測量：用于光強測量、光譜分析、光功率檢測等。2、光通信：用于接收光信號、光傳感器和光通信系統中的光電轉換器件。3、光電轉換：用于太陽能電池、光電耦合器、光電調制器等。五、檢測方法：硅光電二極管的檢測方法通常包括以下幾種：1、光電流檢測法：通過測量硅光電二極管在光照下產生的光電流來檢測光信號的強度。通常
雪崩光電二極管（Avalanche Photodiode，簡稱APD）是一種具有內部增益特性的光電二極管，用于檢測低光強度信號。它在光信號接收和檢測中具有較高的靈敏度和低噪聲特性，常用于光通信、光譜分析、光電子顯微鏡等領域。一、基本結構：雪崩光電二極管的基本結構與普通光電二極管相似，由P型和N型半導體材料構成。但與普通光電二極管不同的是，APD在P-N結附近添加了高摻雜的區域，稱為雪崩區。雪崩區的高電場強度可以使載流子獲得較高的能量，從而產生雪崩效應，形成電子-空穴對。二、工作原理：當光子進入APD，被吸收并轉化為電子-空穴對。在雪崩區的高電場作用下，電子-空穴對會經歷倍增過程，即每個載流子在撞擊離子晶格時會產生更多的電子-空穴對。這種雪崩效應可以顯著增加載流子的數量，從而提高光電二極管的靈敏度。最終，產生的電荷被收集到電極上形成電流輸出。三、主要特性：1、內部增益：APD通過雪崩效應實現內部增益，可以將輸入光信號放大，提高信噪比。2、高靈敏度：由于內部增益的作用，APD對低光強信號的檢測具有較高的靈敏度。3、低噪聲：APD具有較低的噪聲水平，使其能夠檢測到微弱的光信號。4、寬波長范圍：APD對于不同波長的光信號都具有較高的靈敏度，可用于多種波長的光信號檢測。5、快速響應：APD具有較短的響應時間，適用于高速通信和快速檢測應用。四、應用：1、光通信：APD可用于接收光纖通信中的弱光信號，提高通信距離和傳輸速率。2、光譜分析：APD可用于光譜儀等儀器，用于測量和分析不同波長的光信號。3、光電子顯微鏡：APD可用于光電子顯微鏡中，用于檢測和放大顯微鏡所觀察到的微弱光信號。五、發展趨
一、什么是光電二極管光電二極管（Photodiode）是一種能夠將光能轉換為電能的半導體器件。其結構類似于普通二極管，但在P-N結上面有一層反型摻雜。當光照射到光電二極管上時，光子的能量被轉化為電子，進而在P-N結中形成電流，從而實現光電轉換。二、光電二極管的原理光電二極管的原理可以歸納為兩個方面：1、光電效應原理當光照射到半導體材料上時，光子可以被電子吸收，從而將光子的能量轉化為電子能量。當光子能量大于半導體帶隙能量時，就會產生電子空穴對。在光電二極管中，這些電子會被推向反型摻雜層，而空穴則被推向正型摻雜層，從而形成一個電勢差，產生電流。2、PN結原理光電二極管TPS54231DR的結構是由P型半導體和N型半導體組成。在P-N結處，存在一個電場，當光照射到P-N結時，光子的能量被吸收，使得電子從N型半導體躍遷到P型半導體。這個躍遷的過程會帶來電流，這就是光電二極管的工作原理。三、光電二極管的種類1、PIN型光電二極管PIN型光電二極管是一種具有高靈敏度和寬帶寬的光電二極管。其結構是由P型半導體和N型半導體之間夾一層中性區域組成。中性區域的存在使得PIN型光電二極管的電容較小，從而提高了其響應速度和靈敏度。因此，PIN型光電二極管是一種廣泛應用于光通信、光電子學和光譜學等領域的高性能光電二極管。2、APD型光電二極管APD型光電二極管是一種具有內部增益的光電二極管。其結構與PIN型光電二極管類似，但在N型半導體中加入了高摻雜的區域，形成了一種內部放大器。這種結構使得APD型光電二極管具有高增益和高靈敏度的特點，可以用于弱光檢測和光通信等高性能應用。3、PSD型光電二極管PSD型
說明HSDL-9001是一種低成本的模擬輸出環境低成本微型四平面引線（QFN）無鉛表面貼裝封裝中的光光電二極管。它由一個光電二極管組成，在人體內達到峰值在550納米處發光旋渦。因此，它提供了卓越的響應性，接近響應它提供了HSDL-9000數字輸出的替代設計無限環境光照傳感器光探測閾值控制。都是HSDL-9000HSDL-9001是以下應用的理想選擇環境光的測量用來控制顯示背光。移動應用程序，如手機和掌上電腦會產生大電流從顯示屏背光將受益于將HSDL-9000和HSDL-9001納入他們的設計是為了降低功耗明顯地。特征卓越的反應能力，在人體內達到頂峰550nm下的光度曲線對人眼的密切反應微型QFN表面貼裝組件高度0.60 mm寬度2.00 mm深度1.50 mm無限環境光檢測閾值控制保證溫度性能-40oC至85oCVCC電源2.7至3.6 V無鉛和符合RoHS應用檢測環境光以控制顯示器背光移動設備：移動電話、PDA計算設備：筆記本電腦、網頁消費設備：電視、攝像機、數碼相機日光和人工光暴露裝置電氣和光學規范除非另有說明，否則規格（最小值和最大值）保持在推薦的操作條件下。未指定測試條件可能在其工作范圍內的任何地方。除非另有說明，否則所有典型值（典型值）均為25°C，VCC為3.0 V。筆記：1.CIE標準光源（白熾燈）的照度。2.熒光燈用作光源。然而，在大規模生產中，白光LED被取代了。回流焊外形是標稱對流回流焊工藝的溫度分布。溫度分布被劃分分成四個加工區不同的時間溫度變化率。時間價格詳見上表。測量溫度在要打印的組件處電路板連接。在工藝區P1，PC板和I/O引腳加熱至溫度160°C至
光電二極管、光電三極管是電子電路中廣泛采用的光敏器件。光電二極管和普通二極管一樣具有一個PN結，不同之處是在光電二極管的外殼上有一個透明的窗口以接收光線照射，實現光電轉換，在電路圖中文字符號一般為VD。光電三極管除具有光電轉換的功能外，還具有放大功能，在電路圖中文字符號一般為VT。光電三極管因輸入信號為光信號，所以通常只有集電極和發射極兩個引腳線。同光電二極管一樣，光電三極管外殼也有一個透明窗口，以接收光線照射。 光電二極管與光電三極管外殼形狀基本相同，其判定方法如下： 遮住窗口，選用萬用表R*1K擋，測兩管腳引線間正、反向電阻，均為無窮大的為光電三極管。正、反向阻值一大一小者為光電二極管。 光電二極管檢測：首先根據外殼上的標記判斷其極，外殼標有色點的管腳或靠近管鍵的管腳為正極，另一管腳為負載。如無標記可用一塊黑布遮住其接收光線信號的窗口，將萬用表置R*1 K擋測出正極和負極，同時測得其正向電阻應在10K~20K間，其反向電阻應為無窮大，表針不動。然后去掉遮光黑布，光電二極管接收窗口對著光源，此時萬用表表針應向右偏轉，偏轉角度大小說明其靈敏度高低，偏轉角度越大，靈敏度越高。 光電三極管檢測：光電三極管管腳較長的是發射極，另一管腳是集電極。檢測時首先選一塊黑布遮住起接收窗口，將萬用表置R*1K擋，兩表筆任意接兩管腳，測得結果其表針都不動（電阻無窮大），在移去遮光布，萬用表指針向右偏轉至15K~35K，其向又偏轉角度越大說明其靈敏度越高。 檢測結果凡符合以上規律的光電二極管、光電三極管可初步認為其能滿足使用需要。
一個光電二極管DL飼料高增益紅外遙控前置放大器1C，CA3237E。U2是一種調頻鎖相環探測器調整到100千赫左右。U3和檢測器的輸出被放大，它可以驅動一個揚聲器或耳機。
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款具有高發光靈敏度和快速開關時間的高速硅PIN光電二極管——TEFD4300和TEFD4300F，二極管采用透明和黑色樹脂T1塑料封裝，擴大了Vishay的光電子產品組合。TEFD4300和TEFD4300F采用3mm透鏡，具有高達17μA的反向光電流和±20°的半靈敏度角。 今天發布的器件特別適合儀表應用中的數據傳輸、光中斷器、光學開關、編碼器和位置傳感器。對于紅外和可見光源，采用透明外殼的TEFD4300的感光波長為350nm～1120nm。對于波長770nm～1070nm的紅外光源，采用黑色樹脂外殼的TEFD4300F帶有一個匹配850nm～950nm紅外發射器的日光阻擋濾鏡。 在低負載電阻情況下，光電二極管的開關時間可以達到10ns，光電流的溫度系數為0.1%/K，溫度范圍-40℃～+100℃，峰值靈敏度的波長為950nm。器件的封裝與VSLB3940、TSUS4300和TSAL4400紅外發射器系列相匹配。 光探測器支持無鉛工藝，符合RoHS 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC，達到Vishay綠色環境標準。 TEFD4300和TEFD4300F現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為四周到六周。
Vishay Intertechnology， Inc宣布，推出新款具有高發光靈敏度和快速開關時間的高速硅PIN光電二極管---TEFD4300和TEFD4300F，二極管采用透明和黑色樹脂T1塑料封裝，擴大了Vishay的光電子產品組合。TEFD4300和TEFD4300F采用3mm透鏡，具有高達17µA的反向光電流和±20°的半靈敏度角。今天發布的器件特別適合儀表應用中的數據傳輸、光中斷器、光學開關、編碼器和位置傳感器。對于紅外和可見光源，采用透明外殼的TEFD4300的感光波長為350nm～1120nm。對于波長770nm～1070nm的紅外光源，采用黑色樹脂外殼的TEFD4300F帶有一個匹配850nm～950nm紅外發射器的日光阻擋濾鏡。 在低負載電阻情況下，光電二極管的開關時間可以達到10ns，光電流的溫度系數為0.1%/K，溫度范圍−40℃～+100℃，峰值靈敏度的波長為950nm。器件的封裝與VSLB3940、TSUS4300和TSAL4400紅外發射器系列相匹配。 光探測器支持無鉛工藝，符合RoHS 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC，達到Vishay綠色環境標準。 TEFD4300和TEFD4300F現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為四周到六周。
摘要：本文闡述了如何使用DS1841對數電位器調節APD偏置電路的輸出范圍。為了使調節過程更簡單，本文還提供了電子數據表。 APD偏置電路 DS1841可受溫度控制的非易失(NV)、I2C對數電位器包含了一個7位對數變化的電阻器。通過與升壓型DC-DC轉換器相配合，DS1841能夠調節施加在雪崩光電二極管的偏置電壓。利用三個外部電阻(RSER、RTOP和RPAR)調節輸出范圍(圖1)。 圖1.利用DS1841和升壓型DC-DC轉換器(此處為MAX5026或MAX1523)構成的APD偏置電路 調節APD偏置電壓范圍 利用電子數據表DS1841 APD偏置電壓調節(xls)可以方便地調節APD偏置電壓。該電子數據表包含四個輸入變量：RTOP、RSER、RPAR以及VFB。輸入這些電阻值后，電子數據表即可計算出四個輸出值：VAPD (最大值)、VAPD (最小值)、STEP (最大值)和STEP (平均值)。此外還生成了兩個曲線圖：APD偏置與DAC碼關系曲線和每級電壓與DAC碼的關系曲線圖。圖2所示界面給出了四個變量以及通過輸入值而生成的圖形。表1定義了電子數據表所使用的參數。 圖2.該電子數據表界面包含了四個數據輸入變量(見左上角) 表1.使用DS1841調節APD偏置電壓范圍時的變量定義
摘要：本文提供的參考設計用于實現APD偏置電源及其電流監測。基于MAX15031 DC-DC轉換器，該電路能夠將2.7V至11V范圍的輸入電壓經過DC-DC電源轉換器后得到一個70V、4mA電源。 下面列出了參考設計的主要規格、詳細的原理圖(圖1)以及材料清單(表1)。 設計規格與配置 2.7V至11V較寬的輸入電壓范圍 70V輸出電壓 4mA輸出電流 400kHz固定開關頻率 -40°C至+125°C工作溫度范圍 微型、8mm x 12mm電路板尺寸 參考設計原理圖 圖1所示為參考設計的原理圖，輸入電壓范圍為2.7V至5.5V。將CP引腳連接到VIN、去掉電荷泵電容(C3)，該電路可接受5.5V至11V輸入范圍。 圖1.MAX15031升壓轉換器原理圖，FSW = 400kHz (固定)。 表1.材料清單(BOM) Designator Value Description Part Footprint Manufacturer Quantity 表示本設計性能的波形圖 圖2和圖3給出了圖1所示電路的工作性能，從LX節點的電壓波形可以看出，轉換器工作在非連續模式。輸入(VIN)保持為3.3V，電路設計為產生70V輸出電壓(VOUT)。 圖2.3.3V輸入時的VIN (通道1)、VOUT (通道2)和APD (通道3)。 圖3.VIN = 3.3V、APD電流為4mA時的LX節點電壓(通道1)、VOUT (通道2)和APD輸出(通道3)。 圖4.VIN = 3.3V、APD電流為4mA時的輸入紋波(通道1)和輸出紋波(通道2)。 圖4給出了輸入電壓為3.3V、
雪崩光電二極管（APD）是一種高靈敏度、高速度的光電二極管。施加反向電壓時，能啟動其內部的增益機構。APD的增益可以由反向偏置電壓的幅度來控制。反向偏置電壓越大增益就越高。APD在電場強度的作用下工作，光電流的雪崩倍增類似于鏈式反應。APD應用于對光信號需要高靈敏度的各種應用場合，例如光纖通訊、閃爍（scintillation）探測等。 對APD的測量一般包括擊穿電壓、響應度和反向偏置電流等。典型APD的最大額定電流為10-4到10-2A，而其暗電流則可低達10-12到10-13A的范圍。最大反向偏置電壓隨APD的材料而變化，銦砷化鎵（InGaAs）材料的器件可達100V，硅材料的器件則可高達500V。 測試介紹 測量APD的反向偏置電流需要一種能夠在很寬范圍內測量電流并且能輸出掃描電壓的儀器。由于這種要求，吉時利6487型皮安計電壓源或者6430型亞飛安（Sub-Femtoamp）源-表等儀器對于這類測量工作是非常理想的。 圖1所示為6430型亞飛安源-表連接到一個光電二極管上。該光電二極管安放在一個電屏蔽的暗箱中。為了對敏感的電流測量進行屏蔽，使其不受靜電干擾的影響，將此暗箱與6430型亞飛安源表的低端相連。 圖2示出使用6430型數字源表測量得到的銦砷化鎵（InGaAs）材料APD的電流與反向掃描電壓的關系曲線，注意其電流測量的范圍很寬。隨著光的增強，雪崩區域變得更加明顯。擊穿電壓將引起電流自由流動，因為這時會形成電子空穴對，而不再需要光照射二極管來產生電流。
光電二極管" 英文通常稱為 Photo-Diode 光電二極管和普通二極管一樣，也是由一個PN結組成的半導體器件，也具有單方向導電特性。但是，在電路中不是用它作整流元件，而是通過它把光信號轉換成電信號。那么，它是怎樣把光信號轉換成電信號的呢？大家知道，普通二極管在反向電壓作用在處于截止狀態，只能流過微弱的反向電流，光電二極管在設計和制作時盡量使PN結的面積相對較大，以便接收入射光。光電二極管是在反向電壓作用在工作的，沒有光照時，反向電流極其微弱，叫暗電流；有光照時，反向電流迅速增大到幾十微安，稱為光電流。光的強度約大，反向電流也約大。光的變化引起光電二極管電流變化，這就可以把光信號轉換成電信號，成為光電傳感器件。 一、根據構造分類 半導體二極管主要是依PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內。包括這兩種型號在內，根據PN結構造面的特點，把晶體二極管分類如下：1、點接觸型二極管點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。對于小信號的檢波、整流、調制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用范圍較廣的類型。 2、鍵型二極管 鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優良。多作開關用，有時也被應用于檢波和電源|穩壓
本文介紹了發光二極管的多種形式封裝結構及技術，并指出了其應用前景。 1 引言LED是一類可直接將電能轉化為可見光和輻射能的發光器件，具有工作電壓低，耗電量小，發光效率高，發光響應時間極短，光色純，結構牢固，抗沖擊，耐振動，性能穩定可靠，重量輕，體積小，成本低等一系列特性，發展突飛猛進，現已能批量生產整個可見光譜段各種顏色的高亮度、高性能產品。國產紅、綠、橙、黃的LED產量約占世界總量的12％，“十五”期間的產業目標是達到年產300億只的能力，實現超高亮度AiGslnP的LED外延片和芯片的大生產，年產10億只以上紅、橙、黃超高亮度LED管芯，突破GaN材料的關鍵技術，實現藍、綠、白的LED的中批量生產。據預測，到2005年國際上LED的市場需求量約為2000億只，銷售額達800億美元。 在LED產業鏈接中，上游是LED襯底晶片及襯底生產，中游的產業化為led芯片設計及制造生產，下游歸LED封裝與測試，研發低熱阻、優異光學特性、高可靠的封裝技術是新型LED走向實用、走向市場的產業化必經之路，從某種意義上講是鏈接產業與市場的紐帶，只有封裝好的才能成為終端產品，才能投入實際應用，才能為顧客提供服務，使產業鏈環環相扣，無縫暢通。 2 LED封裝的特殊性 LED封裝技術大都是在分立器件封裝技術基礎上發展與演變而來的，但卻有很大的特殊性。一般情況下，分立器件的管芯被密封在封裝體內，封裝的作用主要是保護管芯和完成電氣互連。而LED封裝則是完成輸出電信號，保護管芯正常工作，輸出：可見光的功能，既有電參數，又有光參數的設計及技術要求，無法簡單地將分立器件的封裝用于LED。LED的核
新聞資訊
光電二極管（Photodiode）是一種能夠將光信號轉化為電信號的半導體器件。它通過DCP010512BP光電轉換效應，將入射的光能量轉化為電能，進而產生電流。光電二極管廣泛應用于光電探測、通信、光電測量等領域。以下將詳細介紹光電二極管的工作原理及主要特性。1. 光電二極管的工作原理：光電二極管采用了PN結，其工作原理主要基于內建電場（built-in electric field）和光電效應（photoelectric effect）。光電效應是指當光子與物質相互作用時，能量被轉移給物質，使電子從價帶上躍遷至導帶，形成一個光生載流子。當光子能量大于或等于材料的帶隙能量時，光生載流子的產生就會顯著增加。在PN結中，P區富集雜質，N區則為摻雜雜質。當在PN結兩側分別施加正向偏置和反向偏置時，即Vd>0和Vd<0，光電二極管便可工作。正向偏置時，由于P區具有較多的載流子，光電二極管將成為一個導通狀態，有較大的反向電流。當有光照射到PN結上時，光生載流子增多，導致電流增大。反向偏置時，P區與N區的電場形成一個勢壘，使得光電二極管處于截止狀態，只有極小的反向飽和電流。當有光照射到PN結上時，光生載流子在電場力的驅使下移動，從而產生一個微弱的反向電流。2. 光電二極管的主要特性：（1）光電響應速度：光電二極管具有較快的響應速度，可以實現高頻率的信號接收和傳輸。這取決于光生載流子的生成、擴散和收集速度。（2）譜響應范圍：不同類型的光電二極管對于不同波長的光具有不同的響應能力。常見的光電二極管包括可見光和紅外線等。波長范圍決定了光電二極管的應用領域。（3）量子效率：量子效率是指光
光電二極管（Photodiode）是一種能夠將光信號轉化為電信號的半導體器件。它是基于光電效應原理工作的，當光照射到BZX84C5V1-7-F光電二極管的P-N結上時，會激發出載流子，產生電流。光電二極管廣泛應用于光電檢測、通信、光電測量等領域。光電二極管的結構與普通二極管相似，由P型和N型半導體材料組成。其中P型材料摻入了少量的N型雜質，N型材料摻入了少量的P型雜質。這樣形成的P-N結上，形成了一個電場，當沒有光照射時，電子和空穴會在電場作用下發生擴散運動，形成內部電流。但當有光照射到光電二極管上時，光子的能量被吸收，激發出載流子，進而增大了內部電流。光電二極管的參數包括響應頻率、光譜響應、峰值波長、光電流等。響應頻率表示光電二極管對光信號的快速響應能力，一般與載流子的壽命有關。光譜響應表示光電二極管對不同波長光的響應情況，它受到材料的能帶結構和摻雜雜質的影響。峰值波長表示光電二極管對光的最大響應波長，通常與材料的帶隙能量有關。光電流表示光照射到光電二極管上時產生的電流大小，它與光照強度成正比。光電二極管的工作原理可以分為兩種模式：正向偏置模式和反向偏置模式。在正向偏置模式下，光電二極管的P端接在正電壓，N端接在負電壓，這時內部電場會抑制擴散運動，使光電二極管處于截止狀態，沒有輸出電流。而在反向偏置模式下，光電二極管的P端接在負電壓，N端接在正電壓，內部電場會助推擴散運動，從而增大輸出電流。光電二極管具有靈敏度高、響應速度快、體積小等優點，因此在許多領域得到了廣泛應用。以下是一些典型的應用領域：1、光通信：在光纖通信中，光電二極管用于將光信號轉化為電信號進行處理和解碼。2、光
紅外雪崩光電二極管（Avalanche Photodiode, APD）是一種利用半導體材料的雪崩擊穿效應來增強光電轉換效率的光電器件。它具有高增益、高靈敏度和低噪聲等優點，廣泛應用于光通信、光測量、光譜分析等領域。本文將介紹紅外雪崩光電二極管的工作原理、結構和性能，并探討其發展趨勢。一、紅外雪崩光電二極管的工作原理紅外雪崩光電二極管是在標準的TPS25200DRVR光電二極管結構上引入雪崩擊穿效應而形成的一種增強型光電二極管。其工作原理可以簡單描述為以下幾個步驟：1、光電轉換：當入射光照射到紅外雪崩光電二極管的P-N結區域時，光子能量會被半導體材料吸收，并激發出電子-空穴對。2、載流子增強：在正向偏置的情況下，電子和空穴會被電場加速，形成電子和空穴的雪崩增殖過程。這個過程中，電子和空穴會與晶格原子相互碰撞，并激發出更多的電子-空穴對。3、電子-空穴對的收集：由于電子和空穴的雪崩增殖效應，電流的增加速度遠大于標準光電二極管。這使得紅外雪崩光電二極管具有高增益和高靈敏度的特點。4、電流放大：通過外部電路，可以將紅外雪崩光電二極管輸出的微弱電流放大到可以測量和處理的水平。二、紅外雪崩光電二極管的結構紅外雪崩光電二極管的結構與標準的光電二極管相似，主要包括P-N結、增強層和電極。1、P-N結：紅外雪崩光電二極管的P-N結是由不同半導體材料的P型和N型區域組成。這種結構可以實現光電轉換，并提供雪崩擊穿效應所需的電場。2、增強層：增強層是紅外雪崩光電二極管的核心部分，用于實現電子和空穴的雪崩增殖過程。在增強層中，采用了高摻雜的材料，以提高載流子的增殖效率。3、電極：紅外雪崩光電二極管的電
光電二極管和光電晶體管是光電器件中的兩個重要組成部分。它們可以將光信號轉換為電信號，廣泛應用于光通信、光電測量、光電檢測等領域。下面是關于光電二極管和光電晶體管的硬核科普，希望對你有所幫助。一、光電二極管基本概念光電二極管（Photodiode）是一種將光能直接轉換為電能的器件。它由PN結構組成，當光照射到PN結上時，會產生光生載流子，從而改變PN結的電流特性。一般情況下，光電二極管工作在反向偏置狀態下，也就是在正向電壓下，可以將光信號轉換為電流信號輸出。光電二極管的工作原理是光電效應。光電效應是指當光照射到半導體材料上時，能量會被光子吸收，激發出電子-空穴對。當光電二極管處于反向偏置狀態時，光生電子-空穴對會被電場分離，從而形成電流。光電二極管的輸出電流與光強度成正比。光電二極管的特點是響應速度快、靈敏度高、線性范圍廣。它可以工作在可見光范圍內，也可以工作在紅外光范圍內。光電二極管的應用包括光電測量、光電檢測、光通信等。二、光電晶體管基本概念光電晶體管（Phototransistor）是一種由光電二極管和STM8L051F3P6晶體管結合而成的器件。它具有光電二極管的光電轉換特性，同時還具有晶體管的放大特性。光電晶體管的基本結構和晶體管相似，由三個部分組成：發射區、基區和集電區。光電晶體管的工作原理是光電效應和晶體管放大效應的結合。當光照射到發射區時，光生電子-空穴對會被電場分離，從而形成電流。這個電流會通過基區，控制集電區的電流。光電晶體管的輸出電流與光強度成正比。光電晶體管相比光電二極管具有更高的靈敏度和放大倍數。它能夠將微弱的光信號轉換為較大的電流信號輸出，從而提高了光
火災是一種常見的災害，可以造成嚴重的財產損失和人員傷亡。因此，火災傳感器的使用變得非常重要。基于光電二極管的火災傳感器是一種常見的傳感器類型，它能夠檢測到煙霧和火焰，及時發出警報，以便采取適當的措施來減少火災的損害。本文將介紹基于光電二極管的火災傳感器的工作原理、優勢和應用，并提供一些使用這種傳感器的最佳實踐。一、基于光電二極管的火災傳感器的工作原理基于光電二極管的火災傳感器通過光學原理來檢測煙霧和火焰。它包括一個光電二極管和一個發光二極管。當沒有煙霧或火焰時，發光二極管會發出一個光束，光電二極管會接收到這個光束。但當有煙霧或火焰時，光束會被散射或吸收，導致光電二極管接收到的光信號減弱。74HC132D傳感器會檢測到這個減弱的信號，并根據設定的閾值確定是否觸發火災警報。二、基于光電二極管的火災傳感器的優勢1、高靈敏度：基于光電二極管的火災傳感器對煙霧和火焰有很高的靈敏度，可以及時檢測到火災的存在。2、低誤報率：由于采用了光學原理，基于光電二極管的火災傳感器具有較低的誤報率，可以減少虛警。3、高穩定性：傳感器的光電二極管和發光二極管采用高質量的材料制造，具有較高的穩定性和可靠性。4、快速響應時間：基于光電二極管的火災傳感器具有快速的響應時間，可以在火災發生時迅速觸發警報。5、易于安裝和維護：傳感器的安裝和維護相對簡單，不需要復雜的設備或技術。三、基于光電二極管的火災傳感器的應用基于光電二極管的火災傳感器廣泛應用于各種場合，包括住宅、商業建筑和工業設施等。它們可以用于以下應用：1、家庭安全系統：基于光電二極管的火災傳感器可以與家庭安全系統集成，提供及時的火災警報，保護家庭成員的安全
光電二極管（Photodiode）是一種半導體器件，能夠將光信號轉化為電信號。根據光電二極管的工作原理，可以將其分為兩種模式：光伏模式和光電導模式。一、光伏模式光伏效應是指在半導體材料中，當光子的能量大于導帶與價帶之間的帶隙能量時，光子被吸收并激發出一個電子和一個空穴。當這個電子和空穴分別被收集到不同的電極上時，就會形成一個電場，產生一個光電流。這就是光伏效應。在光電二極管BAT54中，光伏效應是通過PN結實現的。PN結的一側被注入摻雜有大量電子的N型半導體，另一側被注入摻雜有大量空穴的P型半導體。當光線射到PN結上時，光子會被吸收，產生電子和空穴。電子被PN結的電場束縛，形成電流，流向N型半導體的電極，而空穴則流向P型半導體的電極，產生的電流就是光電流。光伏模式的光電二極管具有高靈敏度、低噪聲、高反應速度等優點，能夠廣泛應用于光電檢測、光通信、光電能量轉換等領域。二、光電導模式光電導效應是指在半導體材料中，當光子的能量大于導帶與價帶之間的帶隙能量時，光子被吸收并激發出一個電子和一個空穴。由于PN結兩端的電場，電子和空穴會被加速，形成光電流。當光線不斷照射時，就會產生持續的光電流。這就是光電導效應。在光電二極管中，光電導效應也是通過PN結實現的。光線射到PN結上，產生電子和空穴，被電場加速形成光電流。由于PN結的電極質量好，能夠承受高電壓，因此光電流較大。光電導模式的光電二極管具有高速、高靈敏度等優點，適用于高速通信、激光測距、光纖通信等領域。三、光電二極管的應用光電二極管廣泛應用于各個領域，如光電檢測、光通信、光電能量轉換、光學測量等。1、光電檢測光電二極管的高靈敏度和低噪聲
人們普遍認為，超過100%的效率只能通過使用“哈利波特”的魔法來實現。荷蘭埃因霍溫科技大學和霍爾斯特中心的一個研究團隊用綠光和雙層電池設計了一種光電二極管，其光電子產生率超過200%。研究結果發表在最新一期的《科學進步》上。光電二極管用于實驗設置研究人員解釋說，這聽起來令人難以置信，但這并不是在談論正常的能源效率。在光電二極管BUF20800AIDCPR領域，量子效率很重要。它計算的不是太陽能總量，而是將二極管轉換為電子光子數。為了正常工作，光電二極管必須滿足兩個條件：首先，應盡量減少無光產生的電流，即所謂的暗電流，暗電流越小，二極管越敏感；其次，應區分背景光（噪聲）。不幸的是，這兩件事通常不會同時發生。為此，研究團隊創建了一系列二極管，這是一種結合鈣鈦礦和有機光伏電池的裝置。這兩種技術的使用使其達到70%的效率。然后，研究團隊利用綠光進一步提高效率。之前的研究發現，額外的光照射太陽能電池可以改變其量子效率。最新研究表明，它甚至比預期的更好地提高了光電二極管的靈敏度，近紅外光的效率提高到200%以上。研究人員解釋說，額外的綠光會導致鈣鈦礦層中的電子積累。當紅外光子被有機層吸收時，它會像電荷庫一樣釋放。換句話說，每個紅外光子通過并轉化為電子，都會得到額外電子的陪伴，從而達到200%或更高的效率。該團隊在實驗室測試了光電二極管。二極管被放置在離手指130厘米的地方，研究人員可以檢測到反射回二極管的紅外光的微小變化。這些變化正確地反映了一個人靜脈血壓的變化，所以它也指示了心率。當二極管指向胸部時，也可以測量胸部輕微運動時的呼吸頻率。結語：效率超過100%聽起來“非常不科學”，但當我們
PREMA半導體近日宣布推出第一款用于近紅外線范圍的光標準器件PR5001。這顆雙光電二極管具有最小的封裝尺寸，兩個有效面積為0.75mmx1.2mm的晶圓封裝在僅有1.8mmx2.9mm的DFN中。 PREMA的硅光電二極管具有獨立的陰極和共同的陽極。在反向電壓高達20V的情況下它們可以提供小于100pA的極低暗電流。10V時光電二極管的容抗小于60pF保證其可以應用于高頻光信號的情況。 ModuS U6制程的采用使得大尺寸光電二極管的生產變得很經濟，具有高的成品率和低的雜質陷阱。因此可以在兩個電級實現統一的敏感度，這對于位置檢測很重要。PR5001在近紅外范圍內的最高靈敏度可以到890nm。 雙光電二極管的可能應用包括光束流測量，激光打印機和DVD/CD播放器中的激光束校準，以及在光編碼器和光壘中的應用。
日前，Vishay Intertechnology宣布推出了通過AEC-Q101認證的VEMD20x0X01 PIN光電二極管和VEMT20x0X01光電三極管，擴充了其光電產品目錄。這些光探測器的工作溫度為-40℃～+100℃，采用1.88mm的翼型和倒翼型表面貼裝封裝。 此次發布的器件對旋轉編碼器、位置傳感器、適用于高亮度或日光抑制的紅外探測器、車用雨量傳感器，以及車庫開門器和電動轉門上的光幕和擋光板等應用進行了優化。 光電二極管的光電流為12uA，光譜敏感度范圍750nm～1050nm，光電三級管的光電流為6mA，光譜敏感度范圍790nm～970nm。VEMD20x0X01和VEMT20x0X01具有1nA的暗電流、±15°的半感光角，與之匹配的有最近發布的高亮度、高速紅外發射二極管VSMB20x0X01。 大多數光檢測器在打開封裝或從保護包裝中取出后，必須在72小時內安裝到電路板上，而VEMD20x0X01和VEMT20x0X01的潮濕敏感度等級(MSL)達到J-STD-020規定的2a，因此可在車間環境中保存長達4周的時間。這些無鉛和無鹵素的光探測器支持無鉛制造工藝，符合RoHs 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC法規的要求，兼容無鉛回流焊安裝工藝。 新款光電二極管和光電三極管現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為4～6周。
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出了通過AEC-Q101認證的VEMD20x0X01 PIN光電二極管和VEMT20x0X01光電三極管，擴充了其光電產品目錄。這些光探測器的工作溫度為-40℃～+100℃，采用1.88mm的翼型和倒翼型表面貼裝封裝。 此次發布的器件對旋轉編碼器、位置傳感器、適用于高亮度或日光抑制的紅外探測器、車用雨量傳感器，以及車庫開門器和電動轉門上的光幕和擋光板等應用進行了優化。 光電二極管的光電流為12μA，光譜敏感度范圍750nm～1050nm，光電三級管的光電流為6mA，光譜敏感度范圍790nm～970nm。VEMD20x0X01和VEMT20x0X01具有1nA的暗電流、±15°的半感光角，與之匹配的有最近發布的高亮度、高速紅外發射二極管VSMB20x0X01。 大多數光檢測器在打開封裝或從保護包裝中取出后，必須在72小時內安裝到電路板上，而VEMD20x0X01和VEMT20x0X01的潮濕敏感度等級(MSL)達到J-STD-020規定的2a，因此可在車間環境中保存長達4周的時間。這些無鉛和無鹵素的光探測器支持無鉛制造工藝，符合RoHs 2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC法規的要求，兼容無鉛回流焊安裝工藝。 新款光電二極管和光電三極管現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為4～6周。
由于封裝技術對于光電二極管的總體性能非常重要，所以韓國供應商持續不斷地提高自己的封裝設計水平與產能。 韓國光電二極管產業所專注的領域主要是光線二極管封裝，而不是芯片生產。本地廠商使用的光電二極管芯片主要來自臺灣地區。不同的封裝類型會對這些產品的光電特性，以及可以容忍的溫度范圍產生明顯影響。韓國廠商的陶瓷、金屬和塑料封裝技術都是標準技術，但其它類型的封裝技術則可能根據具體的供應協議而有所不同。 雖然韓國只有屈指可數的幾家光電二極管廠商，但多數都積極向日本、中國和美國出口產品。光電二極管生產與封裝服務通常與其它產品線一起提供，如LED、光遮斷器、光電晶體管和傳感器。 業內人士指出，最近幾年進入韓國本地光電二極管產業的廠商不多，預計近期加入該產業的廠商會更少。這是因為韓國本地廠商不斷調整生產布局，向中國大陸和亞洲的其它低成本制造中心轉移。雖然本地供應商數量較少，但廠商依然充滿信心，甚至今年積極提高產量和擴大出口市場覆蓋范圍，并繼續集成能夠增加產品價值的功能特點。 光電二極管通常具有輸出直線性高、響應速度快、噪聲低和外形緊湊等特點。這些器件被多種應用領域所采用，包括汽車(前燈減光器，暮色探測器)；照相(自動對焦，閃光燈和快門控制)；醫療(CAT掃描儀)；通信(光纖連接，遙控)；工業(條碼掃描儀)；保安(煙霧探測器)。 更小、更薄、高靈敏度 小型化趨勢繼續推動韓國光電二極管的發展。開發重點是更小和更薄的光電二極管，以跟上微技術發展趨勢。另外，全球市場競爭激烈，也在促使廠商改進定制能力和推出更多具有先進特點的產品。 韓國Kodenshi集團正在開發更薄的光電二極管，主要目標應用是：電視、
由于封裝技術對于光電二極管的總體性能非常重要，所以韓國供應商持續不斷地提高自己的封裝設計水平與產能。 韓國光電二極管產業所專注的領域主要是光線二極管封裝，而不是芯片生產。本地廠商使用的光電二極管芯片主要來自臺灣地區。不同的封裝類型會對這些產品的光電特性，以及可以容忍的溫度范圍產生明顯影響。韓國廠商的陶瓷、金屬和塑料封裝技術都是標準技術，但其它類型的封裝技術則可能根據具體的供應協議而有所不同。 雖然韓國只有屈指可數的幾家光電二極管廠商，但多數都積極向日本、中國和美國出口產品。光電二極管生產與封裝服務通常與其它產品線一起提供，如LED、光遮斷器、光電晶體管和傳感器。 業內人士指出，最近幾年進入韓國本地光電二極管產業的廠商不多，預計近期加入該產業的廠商會更少。這是因為韓國本地廠商不斷調整生產布局，向中國大陸和亞洲的其它低成本制造中心轉移。雖然本地供應商數量較少，但廠商依然充滿信心，甚至今年積極提高產量和擴大出口市場覆蓋范圍，并繼續集成能夠增加產品價值的功能特點。 光電二極管通常具有輸出直線性高、響應速度快、噪聲低和外形緊湊等特點。這些器件被多種應用領域所采用，包括汽車(前燈減光器，暮色探測器)；照相(自動對焦，閃光燈和快門控制)；醫療(CAT掃描儀)；通信(光纖連接，遙控)；工業(條碼掃描儀)；保安(煙霧探測器)。 更小、更薄、高靈敏度 小型化趨勢繼續推動韓國光電二極管的發展。開發重點是更小和更薄的光電二極管，以跟上微技術發展趨勢。另外，全球市場競爭激烈，也在促使廠商改進定制能力和推出更多具有先進特點的產品。 韓國Kodenshi集團正在開發更薄的光電二極管，主要目標應用是：電視、
光電二極管" 英文通常稱為 Photo-Diode 光電二極管和普通二極管一樣，也是由一個PN結組成的半導體器件，也具有單方向導電特性。但是，在電路中不是用它作整流元件，而是通過它把光信號轉換成電信號。那么，它是怎樣把光信號轉換成電信號的呢？大家知道，普通二極管在反向電壓作用在處于截止狀態，只能流過微弱的反向電流，光電二極管在設計和制作時盡量使PN結的面積相對較大，以便接收入射光。光電二極管是在反向電壓作用在工作的，沒有光照時，反向電流極其微弱，叫暗電流；有光照時，反向電流迅速增大到幾十微安，稱為光電流。光的強度約大，反向電流也約大。光的變化引起光電二極管電流變化，這就可以把光信號轉換成電信號，成為光電傳感器件。 一、根據構造分類 半導體二極管主要是依*PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內。包括這兩種型號在內，根據PN結構造面的特點，把晶體二極管分類如下：1、點接觸型二極管點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。對于小信號的檢波、整流、調制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用范圍較廣的類型。 2、鍵型二極管 鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優良。多作開關用，有時也被應用于檢波和電源|穩壓器整流
本文介紹了發光二極管的多種形式封裝結構及技術，并指出了其應用前景。 1 引言LED是一類可直接將電能轉化為可見光和輻射能的發光器件，具有工作電壓低，耗電量小，發光效率高，發光響應時間極短，光色純，結構牢固，抗沖擊，耐振動，性能穩定可靠，重量輕，體積小，成本低等一系列特性，發展突飛猛進，現已能批量生產整個可見光譜段各種顏色的高亮度、高性能產品。國產紅、綠、橙、黃的LED產量約占世界總量的12％，“十五”期間的產業目標是達到年產300億只的能力，實現超高亮度AiGslnP的LED外延片和芯片的大生產，年產10億只以上紅、橙、黃超高亮度LED管芯，突破GaN材料的關鍵技術，實現藍、綠、白的LED的中批量生產。據預測，到2005年國際上LED的市場需求量約為2000億只，銷售額達800億美元。 在LED產業鏈接中，上游是LED襯底晶片及襯底生產，中游的產業化為led芯片設計及制造生產，下游歸LED封裝與測試，研發低熱阻、優異光學特性、高可靠的封裝技術是新型LED走向實用、走向市場的產業化必經之路，從某種意義上講是鏈接產業與市場的紐帶，只有封裝好的才能成為終端產品，才能投入實際應用，才能為顧客提供服務，使產業鏈環環相扣，無縫暢通。 2 LED封裝的特殊性 LED封裝技術大都是在分立器件封裝技術基礎上發展與演變而來的，但卻有很大的特殊性。一般情況下，分立器件的管芯被密封在封裝體內，封裝的作用主要是保護管芯和完成電氣互連。而LED封裝則是完成輸出電信號，保護管芯正常工作，輸出：可見光的功能，既有電參數，又有光參數的設計及技術要求，無法簡單地將分立器件的封裝用于LED。LED的核心發光部
由于封裝技術對于光電二極管的總體性能非常重要，所以韓國供應商持續不斷地提高自己的封裝設計水平與產能。 韓國光電二極管產業所專注的領域主要是光線二極管封裝，而不是芯片生產。本地廠商使用的光電二極管芯片主要來自臺灣地區。不同的封裝類型會對這些產品的光電特性，以及可以容忍的溫度范圍產生明顯影響。韓國廠商的陶瓷、金屬和塑料封裝技術都是標準技術，但其它類型的封裝技術則可能根據具體的供應協議而有所不同。 雖然韓國只有屈指可數的幾家光電二極管廠商，但多數都積極向日本、中國和美國出口產品。光電二極管生產與封裝服務通常與其它產品線一起提供，如LED、光遮斷器、光電晶體管和傳感器。 業內人士指出，最近幾年進入韓國本地光電二極管產業的廠商不多，預計近期加入該產業的廠商會更少。這是因為韓國本地廠商不斷調整生產布局，向中國大陸和亞洲的其它低成本制造中心轉移。雖然本地供應商數量較少，但廠商依然充滿信心，甚至今年積極提高產量和擴大出口市場覆蓋范圍，并繼續集成能夠增加產品價值的功能特點。 光電二極管通常具有輸出直線性高、響應速度快、噪聲低和外形緊湊等特點。這些器件被多種應用領域所采用，包括汽車(前燈減光器，暮色探測器)；照相(自動對焦，閃光燈和快門控制)；醫療(CAT掃描儀)；通信(光纖連接，遙控)；工業(條碼掃描儀)；保安(煙霧探測器)。 更小、更薄、高靈敏度 小型化趨勢繼續推動韓國光電二極管的發展。開發重點是更小和更薄的光電二極管，以跟上微技術發展趨勢。另外，全球市場競爭激烈，也在促使廠商改進定制能力和推出更多具有先進特點的產品。 韓國Kodenshi集團正在開發更薄的光電二極管，主要目標應用是：電視、
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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款全新可見光敏感度增強型高速硅PIN光電二極管--- VEMD2704，擴充光電二極管產品組合。Vishay Semiconductors VEMD2704采用小型2.0 mm x 1.8 mm x 0.6 mm頂視表面貼裝封裝，透明環氧樹脂感光度達業內先進水平，快速開關時間為70 ns，容值低至17.6 pF，適于可穿戴設備精確信號檢測。日前發布的器件感光面積為1.51 mm2，具有高光照感光度（反向光電流1.17 μA，暗電流0.03 nA），可在較寬光譜范圍內檢測350 nm至1100 nm的可見光和近紅外輻射。光電二極管適用于健身追蹤器和智能手表等可穿戴設備，搭配綠色LED進行光學心率檢測，搭配紅色LED進行脈搏血氧檢測。與上一代解決方案相比，VEMD2074體積更小，便于集成到耳塞等小型產品中；光學系統可內置若干個光電二極管進行更精確的信號檢測；同時提高了傳感器布局的靈活性。器件的成本也低于前代光電二極管，是智能手環等成本敏感設備的理想選擇。VEMD2704半強角為± 67°，工作溫度范圍-40 °C至+85 °C，峰值靈敏度波長為940 nm。光電二極管符合RoHS和Vishay綠色標準，無鹵素，潮濕靈敏度等級（MSL）達到J-STD-020標準3級，可在車間存放168小時。
制造商:onsemi產品種類:光電二極管RoHS: 詳細信息產品:Photodiode Arrays安裝風格:SMD/SMT峰值波長:420 nm暗電流:154 nA上升時間:0.6 ns最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:C Series SIPM商標:onsemi濕度敏感性:Yes封裝:Reel封裝:Cut Tape產品類型:Photodiodes工廠包裝數量:3000子類別:Optical Detectors and Sensors商標名:SensL
ADL5317ACPZ-REEL7新到現貨！可精確設置雪崩光電二極管偏置電壓！15000只可發貨。批次21+，更多包裝標簽等詳情聯系18038133932朱泉leiziteng@szlztic.cn szlztic@163.comADL5317ACPZ-REEL7特點：精確設置雪崩光電二極管偏置電壓寬偏置范圍：6 V至75 V，利用3 V兼容控制接口設置60倍光電二極管電流（5:1比例）監控范圍線性度：0.5% (10 nA - 1 mA)，1% (5 nA - 5 mA)過流保護和過溫關斷允許使用固定高壓開關，從而降低電源去耦和低通濾波要求，實現低噪聲收發器設計16引腳小型芯片級封裝(LFCSP 3mm × 3mm)ADL5317ACPZ-REEL7應用：Optical power monitoring and biasing in APD systems Wide dynamic range voltage sourcing and current monitoring in high voltage systemsThe noise performance for the ADL5317, defined as the rms noise current as a fraction of the output dc current, improves with increasing signal current. This partially results from the relationship between quies
HPI6FER2 KODENSHI/可天士 光電二極管 深圳市奧偉斯科技有限公司是一家專注觸摸芯片,單片機,電源管理芯片,語音芯片,場效應管,顯示驅動芯片,網絡接收芯片,運算放大器,紅外線接收頭及其它半導體產品的研發,代理銷售推廣的高新技術企業. 奧偉斯科技自成立以來一直致力于新半導體產品在國內的推廣與銷售,年銷售額超過壹億人民幣是一家具有綜合競爭優勢的專業電子元器件代理商. 本公司代理推廣的一系列優秀觸摸芯片及語音芯片，現以大批量應用到智能電子鎖、飲水機、電飯煲、LED臺燈等控制器為顧客提供最佳解決方案，受到廣大客戶的一致贊譽。 奧偉斯科技優勢行業集中在家用電器和汽車電子領域，包括：智能電子鎖、飲水機、抽煙機、空調、洗衣機、冰箱、洗碗機、電飯煲、電磁爐、微波爐、電動自行車、汽車儀表、汽車音響、汽車空調等。銷售網絡覆蓋華東、華南及華北地區。 奧偉斯科技已為眾多世界著名企業提供服務如：美的、小米、云米、長虹、創維、三星、LG、飛利浦、TCL、海爾、美菱、沁園、等眾多中國一流品牌電家廠商 奧偉斯科技提供專業的智能電子鎖觸摸解決方案,并提供電子鎖整套的芯片配套:低功耗觸摸芯片 低功耗單片機 馬達驅動芯片 顯示驅動芯片 刷卡芯片 時針芯片 存儲芯片 語音芯片 低壓MOS管 TVS二極管主要品牌產品:OWEIS-TECHOWEIS觸摸芯片 OWEIS接口芯片 OWEIS電源芯片 OWEIS語音芯片 OWEIS場效應管 一.電容式觸摸芯片ADSEMI觸摸芯片代理
品牌：VISHAY(威世)廠家型號：VBPW34S封裝規格：SMD商品毛重：0.116克(g)包裝方式：編帶電流 - 暗：2nA (Typ)波長：940nm頻譜范圍：430nm~1100nm工作溫度：-40℃~100℃公司主營：電子、軍工、通訊、工業、造船、儀器儀表、宇航級、軍用級、工業級、已停產、冷偏門等高、精、尖集成電路以及其他配套元器件AD、PHILIPS、MAXIM、ALTERA、TI、 ON、Onsemi、Fairchild、TOSHIBA，常年備有大量現貨，在香港和美國設有兩個全球庫房，及時向全球發貨。歡迎前來垂詢接洽！型號齊全，原裝正品，價格極優，貨期快準熱門型號AD9851BRSZAnalog Devices Inc.28-SSOPAD9913BCPZAnalog Devices Inc.32-LFCSP-VQ（5x5）AD9851BRSAnalog Devices Inc.28-SSOPAD9859YSVZAnalog Devices Inc.48-TQFP-EP（7x7）AD5933YRSZ-REEL7Analog Devices Inc.16-SSOPAD9954YSVZ-REEL7Analog Devices Inc.48-TQFP-EP（7x7）AD9959BCPZ-REEL7Analog Devices Inc.56-LFCSP-VQ（8x8）AD9834CRUZ-REEL7Analog Devices Inc.20-TSSOPAD9911BCPZAnalog Devices Inc.56-LFCSP-VQ（8x8）AD5933YRSZAn
Wurth Electronics 光電二極管LEDWurth Electronics光電二極管LED采用SMT或THT芯片封裝。該光電二極管LED具有寬發光角度、高靈敏度和高可靠性。WL-SDCB SMT芯片黑色光電二極管采用矩形鏡片，具有高靈敏度。WL-SDCB集成了日光遮擋濾光片，可輕松實施到現有電路圖中。WL-SDCB非常適合用于近紅外范圍的應用，并可與Wurth Electronics紅外發射器無縫結合。WL-SDSB SMT側面發光黑色光電二極管采用小型封裝，具有高速度和高靈敏度。WL-SDSB采用特殊的黑色鏡片，可以出色地過濾可見光。WL-SDSB光電二極管的波長范圍為700nm至1100nm，因此非常適合用于近紅外范圍。該器件可以與紅外發射器系列WL-SISW搭配使用。WL-TDRW透明圓形和WL-TDRB黑色圓形光電二極管采用高靈敏度THT 5mm封裝。該器件有帶或不帶日光濾光片的型號可供選擇。WL-TDRW產品采用無色鏡片，因此對400nm至1100nm范圍內的可見光和紅外輻射具有高靈敏度。WL-TDRB的黑色鏡片版本僅對700nm至1100nm的紅外范圍具有高靈敏度。WL-TDRW和WL-TDRB系列可以完美配合WL-TIRW系列的紅外發射器，非常適合用于諸多不同紅外應用。FEATURESWL-SDCB：標準封裝尺寸1206大發光角度快速響應時間光靈敏度高WL-SDSB：側面發光封裝高靈敏度小封裝尺寸高可靠性大發光角度WL-TDRW和WL-TDRB：標準THT 5mm封裝尺寸高可靠性可見光和紅外光探測器 (WL-TDRW)/帶日光濾光片 (WL-TDRB)
MICROFC-60035-SMT-TR1 專業代理ON 光電二極管 進口原裝現貨熱賣 深圳婷軒實業0755-89608519 13823657577夏先生QQ 1807674351MICROFC-60035-SMT-TR1 專業代理ON 光電二極管 進口原裝現貨熱賣 深圳婷軒實業0755-89608519 13823657577夏先生QQ 1807674351MICROFC-60035-SMT-TR1 專業代理ON 光電二極管 進口原裝現貨熱賣 深圳婷軒實業0755-89608519 13823657577夏先生QQ 1807674351產品屬性屬性值搜索類似制造商:ON Semiconductor產品種類:光電二極管RoHS:詳細信息產品:Photodiode Arrays安裝風格:SMD/SMT峰值波長:420 nm暗電流:618 nA上升時間:1 ns最小工作溫度:- 40 C最大工作溫度:+ 85 C系列:C-SERIES SIPM封裝:Cut Tape商標:ON SemiconductorCNHTS:8541100000HTS Code:8541406050產品類型:Photodiodes工廠包裝數量:1子類別:Optical Detectors and Sensors商標名:SensL零件號別名:MICROFC-60035-SMT-TA
Vishay的 Optoelectronics VEMD8080高速硅PIN光電二極管滿足了可穿戴設備和醫療應用中可靠信號檢測的需求。VEMD8080高速和高靈敏度PIN光電二極管具有增強的可見光靈敏度，具有4.8 mm×2.5 mm矩形俯視圖，采用薄型表面貼裝器件（SMD），包括4.5mm2敏感區域的芯片檢測可見光和近紅外輻射。特征典型電容：47 pF輻射敏感區域：4.5mm2反向光電流：28μA暗電流：0.2 nA光譜帶寬：350nm至1100nm半靈敏度角度：±65° 溫度范圍：-40°C至+ 85°C峰值靈敏度的波長：950nm應用穿戴式醫療應用
俄羅斯 LED Microsensor NT公司，專注于中紅外LED和中紅外光電二極管PD研發和生產 可直流工作的LED從1000nm - 1700nm,高于這個波長1800nm-2300nm,2700nm-4600nm只能用于脈沖驅動方式同時提供相應的相應的光電二極管和各種驅動模塊 HAWKEYE公司 有40年的制造紅外光源的經驗，提供可靠的高質量的，可定制的穩態光源和電可調制紅外光源。 美國CALSENSORS公司是制造標準或定制PBS硫化鉛和PBSE硫化硒紅外探測器，紅外陣列，和紅外光源的廠家。成立于1986年，歷史悠久。探測器范圍1微米至5.5微米波長范圍。主要應用于光譜學，成像，醫學，汽車尾氣，氣體分析和蒸汽分析儀器，非接觸溫度測量，火焰檢測和可燃物控制。 美國Helioworks著名紅外光源制造商,生產穩態的，和低頻脈沖紅外光源，各種功率品種齊全，都配有鍍金反射器，能夠最大限度反射紅外光源。 奧地利SENSORE氧氣傳感器制造商，提供極限電流式氧化鋯氧傳感器和配套的變送器。 德國著名的光電器件提供商，成立于1982年，當前主要供應光電二極管，紅外光源，熱釋電探測器，DLTGS探測器，激光二極管，光子計數器，光纖光學配套設備。2014年，收購了MICROWA
紫外光電二極管SG01XXL-8ISO90特性：1. 采用碳化硅（SiC）材料2. 寬頻段（UVA+UVB+UVC）3. 有效探測區域36mm24. 10uW/cm2峰值輻射照度產生約468nA電流5. 芯片高度穩定性（通過德國PTB認證）關于碳化硅材料（SiC）：SiC可承受極端輻射硬度，近乎完美的可見盲區，低暗電流，高速響應和低噪音的獨特屬性；這些功能使SiC成為可見盲區紫外探測器的最佳使用材料。SiC探測器可以永久工作在高達170℃的溫度中，信號（響應率）的溫度系數也很低，<0.1%/K。由于（fA級別的暗電流）噪音低，很低的紫外線輻射強度也可以可靠地測量，（需要適當的放大器）。SiC光電二極管可作為未濾波的寬帶探測設備或帶有光學濾波器，提供對UVA、UVB、UVC波段的響應。
紅外光源/穩態光源/脈沖光源一、紫外光電二極管SG01XL系列特性：1. 采用碳化硅（SiC）材料2. 寬頻段（UVA+UVB+UVC）3. 有效探測區域7.6mm24. 10uW/cm2峰值輻射照度產生約99nA電流5 芯片高度穩定性（通過德國PTB認證）二、關于碳化硅材料（SiC）：SiC可承受極端輻射硬度，近乎完美的可見盲區，低暗電流，高速響應和低噪音的獨特屬性；這些功能使SiC成為可見盲區紫外探測器的最佳使用材料。SiC探測器可以永久工作在高達170℃的溫度中，信號（響應率）的溫度系數也很低，<0.1%/K。由于（fA級別的暗電流）噪音低，很低的紫外線輻射強度也可以可靠地測量，（需要適當的放大器）。SiC光電二極管可作為未濾波的寬帶探測設備或帶有光學濾波器，提供對UVA、UVB、UVC波段的響應。 三、紫外光電二極管SG01XL系列應用領域： 主要用于火焰控制(工業鍋爐)，水處理( UV強度的保險)，UV天文(陣列探測)，槍彈跟蹤(紫外線照相機)，臭氧和污染物監測，火焰感應(火警安全裝置油滴監測)，測試太陽光中的紫外線強度(禮品、化妝品用具)，紫外線燈管的紫外線發生強度測試(醫療器械或民用消毒碗柜的消毒效率檢驗)等。紅外光源/穩態光源/脈沖光源傳感器/探測器紅外氣體分析模塊NDIR傳感器專用燈美國Helioworks電可調制脈沖紅外光源美國Hawkeye電可調制脈沖紅外光源其他電可調制脈沖紅
紫外光電二極管SG01F-5ISO90特性：1. 采用碳化硅（SiC）材料2. 寬頻段（UVA+UVB+UVC）3. 有效探測區域1.82mm24. 1uW/cm2峰值輻射照度產生約2.4nA電流5. 芯片高度穩定性（通過德國PTB認證）關于碳化硅材料（SiC）：SiC可承受極端輻射硬度，近乎完美的可見盲區，低暗電流，高速響應和低噪音的獨特屬性；這些功能使SiC成為可見盲區紫外探測器的最佳使用材料。SiC探測器可以永久工作在高達170℃的溫度中，信號（響應率）的溫度系數也很低，<0.1%/K。由于（fA級別的暗電流）噪音低，很低的紫外線輻射強度也可以可靠地測量，（需要適當的放大器）。SiC光電二極管可作為未濾波的寬帶探測設備或帶有光學濾波器，提供對UVA、UVB、UVC波段的響應。
紫外光電二極管SG01L-C5/SG01L-C18特性：1、采用碳化硅（SiC）材料2、僅適用于UVC波段3、光敏區域面積1.0mm24、10uW/cm2峰值輻射強度照射下產生約12nA電流5、芯片高度穩定性（通過德國PTB認證）6、德國DVGW認證關于碳化硅材料（SiC）：SiC具有極其獨特的優點，能承受高強度的輻射，對可見光幾乎不敏感，產生的暗電流低，響應速度快，這些特性使得SiC成為能夠抑制可見光用來制作半導體紫外線探測器最好的材料。SiC探測器可以長期工作在高達170℃的溫度中，溫度系數低（<0.1%/K）并且噪音低，能夠有效的監測到極低的輻射強度（需配置相應的放大硅光電二極管 GT101 GT102 GT103 GT106 光電二極管 gt322d ap0917tp GT102 INGAAS光電二極管 銦鎵砷光電二極管 APD雪崩光電二極管 LED紅外發射管 光電二極管模塊 光電二極管模塊 光電探測器模塊 光電轉換模塊 光電二極管 PSD光電位置傳感器 脈沖激光二極管 905NM脈沖激光二極管 紅外激光二極管 平行光管 平行光源 光纖耦合激光器 10W光纖耦合激光器 光度計探頭 光功率探頭 光能量探頭 PBS硫化鉛紅外探測器 PBS硫化鉛紅外探測器 X射線傳感器 激光光束分析儀 光電二極管放大模塊 光電二極管前置放大器 光電二極管前置放大器 光電二極管前置放大器 微弱光探測器模塊 微弱光檢測模塊 脈沖光接收器 激光脈沖信號接收器 脈沖激光接收器 激光脈沖信號放大器 脈沖光信號接收放大器 激光脈沖傳感器 激光脈沖探測器
一、紫外光電二極管SG01D-C18特性：1、采用碳化硅（SiC）材料2、僅適用于UVC波段3、光敏區域面積0.5mm24、10uW/cm2峰值輻射強度照射下產生約6nA電流5、芯片高度穩定性（通過德國PTB認證）6、德國DVGW認證二、關于碳化硅材料（SiC）：SiC具有極其獨特的優點，能承受高強度的輻射，對可見光幾乎不敏感，產生的暗電流低，響應速度快，這些特性使得SiC成為能夠抑制可見光用來制作半導體紫外線探測器最好的材料。SiC探測器可以長期工作在高達170℃的溫度中，溫度系數低（<0.1%/K）并且噪音低，能夠有效的監測到極低的輻射強度（需配置相應的放大器）。
紫外光電二極管SG01M-C5特性：1、采用碳化硅（SiC）材料2、僅適用于UVC波段3、光敏區域面積0.2mm24、10mW/cm2峰值輻射強度照射下產生約2400nA電流5、芯片高度穩定性（通過德國PTB認證）6、德國DVGW認證關于碳化硅材料（SiC）：SiC具有極其獨特的優點，能承受高強度的輻射，對可見光幾乎不敏感，產生的暗電流低，響應速度快，這些特性使得SiC成為能夠抑制可見光用來制作半導體紫外線探測器最好的材料。SiC探測器可以長期工作在高達170℃的溫度中，溫度系數低（<0.1%/K）并且噪音低，能夠有效的監測到極低的輻射強度（需配置相應的放大器）。